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中国固体物理和半导体物理奠基人:黄昆
作者: 发布日期:2019-09-11

来源:中国科学院半导体研究所

黄昆生于1919年9月2日,卒于2005年7月6日。世界著名物理学家、教育家、中国固体物理学先驱、中国半导体科学技术奠基人。1919年9月2日生于北京。1941年6月在燕京大学物理学系获学士学位,1944年8月在吴大猷教授指导下获北京大学硕士学位,1944年8月被录取为庚款公费物理学留英学生。1945年8月,来到英国布里斯托尔大学成为N.F.莫特(Mott)的研究生。1947年3月获布里斯托大学博士学位。此后在英国爱丁堡大学物理系、利物浦大学理论物理系任研究员。1951年底回国任北京大学物理学系教授,曾担任过物理学系副主任。1977年10月任中国科学院半导体研究所所长,为中国半导体科学技术的复苏发挥重要作用。1955年当选为中科院院士(学部委员)、1980年当选为瑞典皇家科学院外籍院士、1985年当选为第三世界科学院院士。2001年获国家最高科学技术奖。

2002年2月1日,在国家科学技术奖励大会上,国家主席江泽民与2001年度国家最高科学技术奖获得者黄昆和王选合影

他对祖国无限忠诚,为新中国的科技发展奉献了毕生的精力;对真理执着追求,为半导体事业的腾飞做出了卓越的贡献;对学生呕心沥血,为祖国半导体事业培养了大批栋梁之才。

求学——为了追求科学的真谛,他辗转了二十个春秋

从北京到上海,从蒙养园到潞河中学,从燕京大学到英国布里斯托尔大学,黄昆在他二十多年的求学生涯中虽然辗转多处,但是他不断汲取科学知识,锻炼人格意志,为他后来的科研教育生涯,奠定了坚实的基础。

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